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2017年高等学校科学研究优秀成果奖(科学技术)推荐项目公示

发布日期:2017-05-08

2017年高等学校科学研究优秀成果奖(科学技术)推荐项目公示

推荐奖种:科技进步奖                   推荐单位:清华大学

项目名称

高世代声表面波材料与滤波器产业化技术

主要完成单位:

清华大学、中国电子科技集团公司第二十六研究所、无锡市好达电子有限公司、深圳市麦捷微电子科技股份有限公司、深圳大学

主要完成人:

潘峰、欧黎、王为标、张美蓉、罗景庭、曾飞、马晋毅、陆增天、赖定权、宋成、蒋欣、刘平、毛世平、罗山焱、梁启新、姚艳龙、李燕、刘宏燕

项目简介:

本成果属材料科学、电子信息、物理声学交叉领域。

声表面波滤波器是移动通讯系统信号收发的核心器件。高世代(3G4G5G)滤波器长期依赖进口,被国家发展改革委和工信部等联合认定为“影响国家安全器件”的第二位。其核心难点在于阐明换能器压电材料与电极材料间的机电耦合规律,突破换能器材料与滤波器的高性能化和微型化制备技术。

 本成果团队在国家863计划支持下,产学研联动,军民融合,以“高功率、小体积、大带宽、量产”为主攻方向,从材料结构与性能调控的角度,突破了声表面波滤波器换能器材料功率耐受性提升技术、大带宽低插损器件控制技术、微型化设计与器件精细加工技术,实现了产业化,主要技术创新点包括:

1.功率提升技术:应用多层膜材料界面工程原理,研究了换能器压电衬底与电极材料间耦合效应,阐明了换能器材料受高频交变应力作用的电迁移规律,发展出多种具有强(111)织构的高性能“Al/Ti(Ni)/压电单晶”多层结构换能器材料,成功地解决了高频滤波器在交变应力作用下,因电迁移而失效的难题。器件抗电迁移能力提高10倍,滤波器功率从25dBm提升至35dBm(提升10倍),成为国际高功率滤波器的主流方案。

2.带宽增加技术:系统研究了压电材料的声表面波传播规律,发现调控电极膜厚可使特定取向的水平剪切漏波声速变慢,当其低于慢切变波时,漏波变为纯的水平剪切声表面波;基于此,设计并制备出大带宽、低插损的声表面波滤波器,突破了声表面波只能制备窄带滤波器的壁垒,将器件相对带宽从5%增加至20%(增加4倍)。拓宽了声表面波滤波器应用场合。

3.器件微型化技术:应用谱域分析、边界元、格林函数等方法模拟换能器材料声电转换过程,突破了叉指换能器耦合模/全波分析设计关键技术,发展出相应的微纳尺度精准加工技术,滤波器体积从十年前的3.8×3.8×1.5减小至0.8×0.6×0.45立方毫米,体积缩小至原来的1%,满足了移动通讯对滤波器微型化的要求。

4.器件产业化技术:发展出针对高世代滤波器的光刻、镀膜、金球凸点制作、划片、倒装焊、封装、在线检测等产业化技术,建立了自主知识产权的高世代滤波器生产线,年产能30亿只,达国际需求量7%左右。实现了我国高世代移动通讯滤波器产品从无到有的突破。

  相关成果发表SCI论文30余篇,科学出版社出版《声表面波材料与器件》专著,申请发明专利27件(授权15件)。在中电集团、无锡好达、深圳麦捷等企业实现了产业化,近三年产值11.26亿元,经济效益3.98亿元,其中新增利税3.51亿元,节约支出4688万元,创汇3215万美元。

成果推动了声表面波材料和滤波器理论与技术的发展,产品打破了国外的垄断,已成功应用于华为、中兴等几乎所有的国产品牌手机,并出口到韩国三星等。此外,发展的声表面波滤波器件与模块大量应用于我国相控阵雷达、预警飞机、驱逐舰和导弹等,为国防建设提供了器件保障。随4G5G移动通讯的迅速发展,项目成果将推动和促进相关产业的发展,产生更大经济和社会效益。

 

推广应用情况:

项目发展出的具有自主知识产权的“高世代声表面波材料与滤波器产业化技术”已在中国电子科技集团第二十六研究所、无锡市好达电子有限公司、深圳市麦捷微电子科技股份有限公司成功应用。建立了自主知识产权的年产能达到30亿只高世代滤波器件生产线,成功生产出4G TD-LTE通讯系统全规格的微形化、高功率器件。近三年产值11.26亿元,直接经济效益3.98亿元,其中新增利税3.51亿元,节约支出4688万元,创汇3215万美元。使我国高世代移动通讯滤波器产品从无到有,产能达国际需求量7%左右。打破了国外的垄断,已成功应用于华为、中兴等几乎所有的国产品牌手机,并出口到韩国三星等。发展的声表面波滤波器件与模块,大量应用于我国相控阵雷达、预警飞机、驱逐舰和导弹等,为国防建设提供了器件保障。

主要应用单位情况

应用单位名称

应用技术

起止时间

单位联系人/电话

近三年经济效益(万元)

中电集团第二十六研究所

年产20亿只高世代声表面波滤波器芯片制造与1亿只军品器件封装技术

2009.1

-2016.12

毛世平/13883674379

22434

无锡市好达电子有限公司

年产10亿只高世代声表面波滤波器芯片与器件封装产业化技术

2013.1

-2016.12

黄辉/3806171398

10656

深圳市麦捷微电子科技股份有限公司

年产5亿只高世代声表面波滤波器后封装与器件产业化

2014.1

-2016.12

赖定权/15019403594

6677

合计

30亿只产能

 

 

39767

具体应用情况:

1)在中国电子科技集团第二十六研究所建立了4寸声表面波器件贯标生产线和6寸声表面波器件生产线。在滤波器芯片(晶圆)制造方面,具备了3英寸0.5微米(1.8GHz)声表器件的批量生产测试能力、4英寸0.35微米(2.4GHz)声表器件的批量生产测试能力、4英寸0.28微米(3.5GHz)声表器件的研制能力。可批量生产从700MHz3000MHz的滤波器芯片,各类滤波器芯片年总产能达到20亿只,滤波器芯片一部分应用于军品滤波器件与模块生产,建立了1亿只军品器件封装生产线,其余芯片提供给深圳市麦捷微电子科技股份公司等进行后封装应用于民品移动通讯。

中国电子科技集团第二十六研究所生产的典型产品如下:

产品类型

应用波段

典型产品

手机用射频双工器

Band5

频段为Tx836.5/Rx881.5,封装为CSP1814CSP1411

CSP1109双工器系列产品

Band39

频段为1900MHz,封装为CSP1814CSP1411

CSP1109SAW系列产品

Band40

频段为2350MHz,封装为CSP1814CSP1411

CSP1109SAW系列产品

Band41

频段为2605MHz,封装为CSP1814CSP1411

CSP1109SAW系列产品

GPS波段

LBT1561系列,LBT1575系列,LBT1583系列

基站用射频滤波器

3G网络

LBT2140系列,LBT1880系列,LBT1900系列,LBT1748系列等

4G-LTE网络

700MLTE波段系列产品;2500M系列产品

Wifi波段

LBT2410XXLBT2412&LBT2462

RFID频段

433MHz系列

蓝牙波段

LBT2333XX

中国电子科技集团第二十六研究所生产声表面波滤波器主要应用于防务领域,典型产品--高幅相一致性声表滤波器,相位一致性优于±5°广泛应用于陆基相控阵雷达、空警/海警系列预警机、05X系列大型驱逐舰、XX系列导弹等国家重要工程,在民用市场,重点突破了低损耗、高矩形度滤波器的关键技术,代表产品损耗小于1.5dB,矩形系数优于1.6成功用于华为、中兴的4G基站中

2)在无锡市好达电子有限公司建立了年产能10亿只滤波器生产线,从滤波器晶圆芯片、后封装到全自动检测技术全链条贯通,拥有3000平米万级、500平米千级、150平米百级、120平米十级的净化厂房和相应器件制成设备,具备0.25微米微线条芯片生产能力,可规模化生产中心频率从700MHz2.700GHz的高性能滤波器。主要产品已成功应用于手机、通信基站,雷达、航天航空、汽车电子、及其它射频通讯领域。将本成果的大功率技术应用于发射滤波器的设计,满足了4G-lte对于大功率的要求;采用本项目独有的技术超大带宽滤波器技术在业界首次为全频段band44band20+band28等应用供了解决方案,成功应用于军品手机、平板显示领域;持续推进了声表面波器件的小型化,目前1.1mm×0.9mm滤波器已经大量出货,0.8mm×0.6mm滤波器已经出样并接受客户评估。产品主要应用于三星、中兴、小米、波导、金立、TCL等。其中3模导航滤波器2442生产了3500万只、WIFI滤波器15881575生产了6300万只,双工器:Band13578已生产了5600万只;国内市场用的B39B40B41的滤波器量产3200万只;其它系列产品有HDFB38RSB-B5 B1 HDFB39RSB-B5 B10011HDFB41TSS-B2 B058HDF1795T-P2(C032)HDFB03RSB-B5 B053921.5A-P6HDFB02RSB-B5 B052等等。双工器、滤波器性能指标达到国际先进水平,产品经中国赛宝(江苏)实验室检验全部满足技术指标(报告编号20172050165)。

3)在深圳市麦捷微电子科技股份有限公司建立了年产5亿只滤波器的后封装生产线,麦捷科技通过自身在陶瓷工艺和微波器件的深厚积累,采用等效电路和三维电磁场模拟相结合的方法进行运算仿真,实现了陶瓷基板的自主设计和自主生产,打破了声表封装陶瓷基板依赖进口的垄断,有效降低了成本。已批量生产FDD双工器,FDD接收滤波器,TDD收发滤波器,GPS滤波器,WIFI滤波器等移动终端声表面波滤波器,产品广泛应用于中兴、华为、联想、小米、波导、华勤、鼎智、镭杰、冠捷、TCL、长虹、酷派、魅族、康佳等企业。

因本项目的器件在各类通讯基站和手机上应用,给相关企业带来的间接效益应在百亿元以上,在国防领域大量应用于相控阵雷达、预警机、05X驱逐舰、XX系列导弹等也产生了良好的社会效益。因声表面波滤波器及其模块组件以其体积小、频率选择性强、一致性好等特点,可广泛应用于移动通讯系统、电视广播以及各类军用雷达、通讯系统中。随4G\5G移动通讯的迅速发展,项目成果推广应用将推动和促进相关产业的发展,潜在市场巨大,可望产生更加重大的经济和社会效益。

 

曾获科技奖励情况

主要知识产权证明目录

1、曾飞;潘峰,一种磁场调节中心频率的声表面波滤波器及其制备方法,200810119667.8,已授权

2、倪山林;王为标,双通道声表面波滤波,200810124217.8,已授权

3、王为标;倪山林,开关切换型双通道声表面波滤波器,200810196511.X,已授权

4、王为标,三通道声表面波滤波器,ZL200910144987.3,已授权

5、潘峰;罗景庭;曾飞,一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法,201010170458.3,已授权

6、王为标;王少安;赵雯;倪山林, 多汇流条声表面波滤波器201010223448.1,已授权

7、潘峰;唐光盛;曾飞,一种制备金属纳米条纹的方法,201110168949.9,已授权

8、曾飞;盛蓬;潘峰;唐光盛,一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法,201110170928.0,已授权

9、杨增涛;马晋毅;欧黎;冷俊林;杨正兵;赵建华;陈运祥;周勇;陈小兵;傅金桥;张龙;张涛;曹亮,预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法, 201110034129.0,已授权

10、张美蓉;张海恩;梁启新;齐治;赖定权;张杰;张立智;朱圆圆;南光亮,一种LTCC滤波器制作工艺及其制得的LTCC滤波器,ZL201110095643.5,已授权

11、曾飞;刘宏燕;杨晶;潘峰;罗景庭,一种具有高可见光透过率和高压电常数的共掺杂ZnO薄膜,申请号: 201210004182.0,已授权

12、杜波;马晋毅;江洪敏;曹家强;杨靖;蒋欣,全密封结构微机械滤波器,ZL201210322603.4,已授权

13、蒋欣;吕翼;朱勇;蒋世义;金剑;黄莹,宽带阻抗元型声表面波滤波器, 201310697600.3,已授权

14、杜波;陈彦光;傅金桥;马晋毅;蒋欣;蒋世义, 一种具有高功率承受力的声表面波滤波器,ZL201310047775.X,已授权

15、赖定权;梁启新;付迎华;陈鑫;朱圆圆;马龙;陈基源;齐治;张海恩;张美蓉,天线及射频识别模组, ZL201410089116.7,已授权

16、曾飞;杨晶;潘峰,一种高压电响应氧化锌柔性压力传感器及其制备方法,201010597243.X

17、潘峰;刘宏燕;曾飞;罗景庭;唐光盛,一种具有大压电常数的AlN薄膜,201110165775.0

18、潘峰;罗景庭;陈超;曾飞,一种具有大机电耦合系数和低插入损耗的声表面波滤波器及其专用压电薄膜,201110166512.1

19、李起;曾飞;潘峰;高双,在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法, CN201410705974

20、曾飞;刘宏燕,王光月;潘峰,耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法,CN201410479805.9

21、曾飞;刘宏燕;王光月;潘峰,具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及其制备方法与应用,CN201410478795.7

22、曾飞;李起;潘峰;傅肃磊,高c轴取向氮化铝薄膜及其制备方法与应用,CN201510794985.4

23、曾飞; 傅肃磊; 潘峰;李起;王敏涓,一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用, CN201510801540.4

24、罗景庭;范平;张东平;郑壮豪;梁广兴,一种声表面波葡萄糖传感器及其制作方法, CN201410254858.0

25、杨增涛; 马晋毅;江洪敏;杨正兵;冷俊林;欧黎;傅金桥;赵治国;张涛;张龙;刘积学, 一种空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)的制作方法, CN201010526799.X

26、周卫; 朱明;田亚睿;陈峻;曾武;刘积学;马晋毅;许东辉;冉川云;欧阳锋;黎亮,高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器,CN201410762551.1

27、     梁启新; 付迎华;赖定权;朱圆圆;陈玲琳;马龙;陈基源;陈鑫;齐治;张美蓉;魏晓惠, 一种新型小型化叠层片式三工器, CN201510055306.1

28、     王为标,倪山林.声表面波滤波器,CN200820037830.12009-03-25,已授权。

29、     王为标.三通道声表面波滤波器,CN200920187589.52010-05-26,已授权.

30、     刘平,徐彬,梅丛祥.一种声表面波滤波器封装结构,CN201520572244.72015-11-25,已授权

主要完成人情况:(公示每个完成人情况,包括:姓名、排名、技术职称、工作单位、完成单位、对本项目技术创造性贡献、曾获科技奖励情况。)

潘峰,排名第1,教授,工作单位为清华大学,完成单位为清华大学,对本项目技术创造性贡献为:自2009年牵头开展本项目研究。提出总体研究方案和思路。对创新点1-4均做出重大贡献。突破了声表面波滤波器换能器材料功率耐受性提升技术,发展出多种多层结构高性能换能器材料;协助发展了大带宽低插损器件控制技术和微型化设计与器件精细加工技术,主导建立了滤波器实验研发中试线,共同推进了滤波器产业技术的发展。曾获科技奖励情况:2012年国家自然科学奖二等奖,氧化锌薄膜微结构与性能调控中若干基础问题,排名第一; 2007年国家技术发明奖二等奖,中高频声表面波关键材料及应用研究,排名第一。2009年度国家科技进步二等奖,移动通讯用滤波器关键技术及产业化,排名第二。

欧黎,排名第2,研究员,工作单位为中国电子科技集团公司第二十六研究所,完成单位为中国电子科技集团公司第二十六研究所,对本项目的主要技术贡献为:2009年起参与本项目研究。滤波器芯片规模化生产与军品器件后封装技术策划。对创新点1-4均做出贡献。共同发展了声表面波滤波器换能器材料功率耐受性提升技术,开发出声电磁设计平台与技术,获得滤波器/双工器等微型化设计与器件精细加工技术,突破了长阵列深亚微米指条制作及批产工艺技术,建立了年产20亿只高世代声表面波芯片(前道)生产线,产品在防务领域应用于陆基相控阵雷达、空警/海警系列预警机、05X系列大型驱逐舰等。曾获科技奖励情况:2001年国防科技进步三等奖,SMU391型声表面波16信道可程序选通滤波组件/ SMU392型声表面波20信道可程序梳状谱滤波组件,排名第一;

王为标,排名第3,高级工程师,工作单位为无锡市好达电子科技有限公司,完成单位为无锡市好达电子科技有限公司,对本项目的技术创造性贡献为:2013年起与清华大学共同开展高功率、大带宽滤波器、微型化器件的产业化技术研究。主要创新贡献情况:对创新点1-4均做出贡献。共同发展了声表面波滤波器换能器材料功率耐受性提升技术,首次设计并制备出大带宽、低插损的声表面波滤波器,突破了声表面波只能制备窄带滤波器的壁垒,将器件带宽从5%增加至20%。发展出滤波器微纳尺度精准加工技术,滤波器尺寸达到0.8×0.6毫米,建立了自主知识产权的年产能达10亿只高世代滤波器件的生产线。

张美蓉,排名第4,高级工程师,工作单位为深圳市麦捷微电子科技股份有限公司,完成单位为深圳市麦捷微电子科技股份有限公司,对本项目的技术创造性贡献为:自2014年起与清华大学和中国电子科技集团第二十六研究所合作,开展高世代滤波器的后封装产业化技术研究。主要创新贡献情况:对创新点4做出贡献。领导建立了自主知识产权的年产能达到5亿只高世代滤波器件后封装生产线,发展陶瓷基板封装工艺,成功批量生产滤波器、双工器。

罗景庭,排名第5,副教授,工作单位为深圳大学,完成单位为深圳大学,对本项目的技术创造性贡献:2009年至2011年,参加了全部3863项目的研究,2014年起与清华大学合作重点研究换能器材料。  主要创新贡献情况:对创新点1做出较大贡献。研究了Al(Ti/Ni)叉指换能器薄膜材料的形核与生长机理,阐明了换能器材料受高频交变应力条件下电迁移规律,对发展具有强(111)织构的高性能多层结构换能器材料有较大贡献。协助建立了滤波器实验研发中试线。

曾飞,排名第6,副研究员,工作单位为清华大学,完成单位为清华大学,对本项目的技术创造性贡献为:自2009年起参与本项目研究,清华大学项目主要参加人。对创新点1-4均做出贡献。开展了多层结构换能器材料研究,突破了声表面波滤波器换能器材料功率耐受性提升技术;协助发展了器件精细加工技术,建立了滤波器实验研发中试线,共同推进了滤波器产业技术的发展。曾获科技奖励:2007年国家技术发明二等奖,中高频声表面波关键材料研究,排名第三;2012年国家自然科学二等奖,氧化锌薄膜微结构与性能调控中若干基础问题,排名第二;

马晋毅,排名第7,研究员,工作单位为中国电子科技集团公司第二十六研究所,完成单位为中国电子科技集团公司第二十六研究所,对本项目的主要技术贡献为: 负责中电26所声表面波声学、电学和电磁协同的设计平台开发;负责中电26所手机声表产业化项目的实施; 参与中电26所产线建设;负责中电26所军品市场推广。曾获科技奖励:2015年全军科技进步二等奖,XX荧光法与阻抗法检测技术研究,排名第二;2012年国防科技进步三等奖,XX系列声表面波抽头延迟线,排名第一;2009年国防科技进步三等奖,BD043C型声体波微波延迟线,排名第一。

陆增天,排名第8,工程师,工作单位为无锡市好达电子有限公司,完成单位为无锡市好达电子有限公司,对本项目的技术创造性贡献为:2013年起与清华大学起共同开展高功率、大带宽滤波器、微型化器件的产业化技术研究。主要创新贡献情况:对创新点134做出贡献。共同发展了声表面波滤波器换能器材料功率耐受性提升技术,开发了负胶光刻工艺的微纳尺度精准加工技术,芯片成品率由80%提高到97%,滤波器尺寸达到0.8×0.6毫米,参与后道工艺线研究,优化倒装机,使得倒装的可靠性大幅增加,参与建立了自主知识产权的年产能达到10亿只高世代滤波器件生产线。

赖定权,排名第9,工程师,工作单位为深圳市麦捷微电子科技股份有限公司,完成单位为深圳市麦捷微电子科技股份有限责任公司,对本项目的技术创造性贡献为:自2014年起与清华大学和中国电子科技集团第二十六研究所合作,开展高世代滤波器的后封装产业化技术研究。主要创新贡献情况:对创新点4做出贡献。共同研发了倒装焊、在线检测等产业化技术,协助建立了自主知识产权的年产能达到5亿只高世代滤波器件后封装生产线,成功批量生产滤波器、双工器。

宋成,排名第10,副教授,工作单位为清华大学,完成单位为清华大学,对本项目的技术创造性贡献为:自2011年参与本项目研究,清华大学项目主要参加人。对创新点14均做出贡献。共同开展了多层结构换能器材料研究,突破了声表面波滤波器换能器材料功率耐受性提升技术;协助发展并建立了滤波器实验研发中试线,共同推进了滤波器产业技术的发展。曾获科技奖励:2012年国家自然科学奖二等奖,氧化锌薄膜微结构与性能调控中若干基础问题,排名第三;

蒋欣,排名第11,高级工程师,工作单位为中国电子科技集团公司第二十六研究所,完成单位为中国电子科技集团公司第二十六研究所,对本项目的主要技术贡献为:2009参与本项目研究。对创新点1-4均做出贡献。解决GHz SAW器件精确模拟的技术难题,提升了设计灵活性及效率;主持完成为四代机、DF系列等重点工程配套的GHz SAW滤波器研制任务;参与完成长阵列深亚微米指条制作批产工艺,GHz SAW滤波器成品率提升至90%以上;完成超低损耗滤波器、高隔离度双工器、超小紧凑型滤波器等多种新型结构的设计。曾获科技奖励:2014年国防科技进步二等奖,SMUAXXX型开关滤波器模块,排名第三;

刘平,排名第12,工程师,工作单位为无锡市好达电子有限公司,完成单位为无锡市好达电子有限公司,对本项目的技术创造性贡献为:2013年起与清华大学起共同开展高功率、大带宽滤波器、微型化器件的产业化技术研究。主要创新贡献情况:对创新点4做出贡献。发展了金球凸点制作、倒装焊、在线检测等产业化技术,建立了自主知识产权的年产能达到10亿只高世代滤波器件生产线。(专利8,鉴定证书,附件订单合同5-6

毛世平,排名第13,高级工程师,工作单位为中国电子科技集团公司第二十六研究所,完成单位为中国电子科技集团公司第二十六研究所,对本项目的主要技术贡献为:2009年参与本项目研究。开展了滤波器芯片规模化生产与军品器件后封装技术研究工作。对创新点4做出贡献。共同参与滤波器批产工艺技术,建立了年产20亿只高世代声表面波芯片(前道)生产线,产品在防务领域应用于陆基相控阵雷达、空警/海警系列预警机、XXX系列大型驱逐舰等。(鉴定证书,附件订单合同1-4

罗山焱,排名第14,高级工程师,工作单位为中国电子科技集团公司第二十六研究所,完成单位为中国电子科技集团公司第二十六研究所,对本项目的主要技术贡献为:2009年参与本项目研究。开展了滤波器芯片规模化生产与军品器件后封装技术研究工作。对创新点4做出贡献。共同参与滤波器批产工艺技术,建立了年产20亿只高世代声表面波芯片(前道)生产线,负责与中兴公司等沟通器件性能改善技术的发展。曾获科技奖励:2006年重庆市科技进步二等奖,移动通讯用声表面波滤波器,排名第一。

梁启新,排名第15,工程师,工作单位为深圳市麦捷微电子科技股份有限公司,完成单位为深圳市麦捷微电子科技股份有限公司,对本项目的主要技术创造性贡献为:自2014年起与清华大学和中国电子科技集团第二十六研究所合作,开展高世代滤波器的后封装产业化技术研究。主要创新贡献情况:对创新点4做出贡献。完成移动终端声表面波滤波器所用封装基板的制作和测试;设计封装基板的结构;完成微波低损耗陶瓷粉料配方研究,确定封装基板工艺制程和检验,达到封装工艺要求以及产品性能要求。

姚艳龙,排名第16,工程师,工作单位为深圳市麦捷微电子科技股份有限公司,完成单位为深圳市麦捷微电子科技股份有限公司,对本项目的技术创造性贡献:自2014年起与清华大学和中国电子科技集团第二十六研究所合作,开展高世代滤波器的后封装产业化技术研究。主要创新贡献情况:对创新点3-4做出贡献。共同发展了滤波器设计技术,发展了倒装焊、在线检测等产业化技术,建立了自主知识产权的年产能达到5亿只高世代滤波器件后封装生产线,成功批量生产滤波器、双工器,产品已广泛应用于通讯、消费类电子等领域。

李燕,排名第17,高级工程师,工作单位为中国电子科技集团公司第二十六研究所,完成单位为中国电子科技集团公司第二十六研究所,对本项目的主要技术贡献为:2009年参与本项目研究。开展了滤波器芯片规模化生产与军品器件后封装技术研究工作。对创新点13做出贡献。搭建频段范围为200MHz~5000MHz的功率实验平台,建立功率实验流程;开展SAW金属薄膜晶体结构、微观组织对器件性能影响;开展退火工艺对薄膜结构及质量影响的研究;开发用于电极的膜层、各层成分以及比例的研究。

刘宏燕,排名第18,其他,工作单位为清华大学,完成单位为清华大学,对本项目的技术创造性贡献为:20102014年,参加了全部3863项目的研究。主要创新贡献情况:对创新点1做出较大贡献。研究了Al/Ni多层结构叉指换能器薄膜材料的形核与生长机理,阐明了换能器材料受高频交变应力条件下电迁移规律,对发展具有强(111)织构的高性能多层结构换能器材料有较大贡献。协助建立了滤波器实验研发中试线。

 

 

 

 

 

 

 

主要完成单位及创新推广贡献:

清华大学,自2009年牵头开展本项目研究。牵头完成863计划重点项目,声电与磁电功能薄膜材料与器件,2009AA0340012009年起与中电26所合作完成863计划项目,高频声表面波关键材料与应用研究,2009AA03Z444863计划项目,新型声表面波滤波器与多层片式压敏陶瓷技术,2013AA030801。共同开展了材料与器件产业化技术的研究。自2009年起与无锡好达建立合作关系,2013年起共同开展高功率、大带宽滤波器的产业化技术研究,发展器件微型化技术。自2013年起与深圳麦捷微电子科技股份公司建立合作关系,共同开展高世代滤波器的后封装产业化技术研究。2014年起与深圳大学合作研究换能器材料。主要创新贡献情况:对创新点1-4均做出重大贡献。突破了声表面波滤波器换能器材料功率耐受性提升技术,协助发展了大带宽低插损器件控制技术和微型化设计与器件精细加工技术,建立了滤波器实验研发中试线,共同推进了滤波器产业技术的发展。授权发明专利5件,专著1部,论文30余篇。

中国电子科技集团公司第二十六研究所,自2009年起与清华大学合作本项目研究。牵头与清华大学一起完成863计划项目,高频声表面波关键材料与应用研究,2009AA03Z444863计划项目,新型声表面波滤波器与多层片式压敏陶瓷技术,2013AA030801。共同开展了滤波器材料与器件产业化技术的研究。自2013年起与深圳麦捷微电子科技股份公司建立合作关系,共同开展高世代滤波器的后封装产业化技术研究,为深圳麦捷微电子科技股份公司提供滤波器晶圆芯片。主要创新贡献情况:对创新点1-4均做出贡献。共同发展了声表面波滤波器换能器材料功率耐受性提升技术,开发出声电磁设计平台与技术,获得滤波器/双工器等微型化设计与器件精细加工技术,突破了长阵列深亚微米指条制作及批产工艺技术,建立了年产20亿只高世代声表面波芯片(前道)生产线,产品在防务领域应用于陆基相控阵雷达、空警/海警系列预警机、XXX系列大型驱逐舰、XX系列导弹等。

无锡市好达电子有限公司, 2013年与清华大学起共同开展高功率、大带宽滤波器、微型化器件的产业化技术研究。主要创新贡献情况:对创新点1-4均做出贡献。共同发展了声表面波滤波器换能器材料功率耐受性提升技术,首次设计并制备出大带宽、低插损的声表面波滤波器,突破了声表面波只能制备窄带滤波器的壁垒,将器件带宽从5%增加至20%。发展出滤波器微纳尺度精准加工技术,滤波器尺寸达到0.8×0.6毫米,发展了金球凸点制作、倒装焊、在线检测等产业化技术,建立了自主知识产权的年产能达到10亿只高世代滤波器件生产线,成功生产全规格的微形化、高功率器件,产品近60个品种。授权实用新型专利3件。

深圳市麦捷微电子科技股份有限公司,自2014年起与清华大学和中国电子科技集团第二十六研究所建立合作关系,共同开展高世代滤波器的后封装产业化技术研究。主要创新贡献情况:对创新点3-4做出贡献。共同发展了滤波器设计技术,发展了倒装焊、在线检测等产业化技术,建立了1条自主知识产权的年产能达到5亿只高世代滤波器件后封装生产线,成功批量生产滤波器、双工器,滤波器等产品已广泛应用于通讯、消费类电子等领域。

深圳大学,2009年至2011年,深圳大学罗景庭副教授参加了清华大学牵头的863计划重点项目,声电与磁电功能薄膜材料与器件,2009AA034001;以及中电26所牵头的863计划项目,高频声表面波关键材料与应用研究,2009AA03Z444863计划项目,新型声表面波滤波器与多层片式压敏陶瓷技术,2013AA0308012014年起与清华大学合作重点研究换能器材料。主要创新贡献情况:对创新点1做出重大贡献。研究了Al(Ti/Ni)叉指换能器薄膜材料的形核与生长机理,阐明了换能器材料受高频交变应力条件下电迁移规律,对发展具有强(111)织构的高性能多层结构换能器材料有较大贡献。协助建立了滤波器实验研发中试线。

 

 


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